SSM3J321T(TE85L,F) | |
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भाग संख्या | SSM3J321T(TE85L,F) |
निर्माता | Toshiba Semiconductor and Storage |
विवरण | MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM |
मात्रा उपलब्ध छ | 2516 pcs new original in stock. अनुरोध स्टक र उद्धरण |
ECAAD मोडेल | |
डेटासेटहरू | 1.SSM3J321T(TE85L,F).pdf2.SSM3J321T(TE85L,F).pdf |
SSM3J321T(TE85L,F) Price |
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SSM3J321T(TE85L,F) को तकनीकी सूचना | |||
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निर्माता भाग संख्या | SSM3J321T(TE85L,F) | कोटि | |
निर्माता | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | विवरण | MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM |
प्याकेज / केस | TSM | मात्रा उपलब्ध छ | 2516 pcs |
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 1V @ 1mA | Vgs (अधिकतम) | ±8V |
प्रविधि | MOSFET (Metal Oxide) | उपकरण प्याकेज | TSM |
श्रृंखला | U-MOSV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3A, 4.5V |
पावर डिसिपिशन (अधिकतम) | 700mW (Ta) | प्याकेज / केस | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
पार्सल | Tape & Reel (TR) | परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
माउन्टिंग प्रकार | Surface Mount | इनपुट समाईन (सीिस) (अधिकतम) @ Vds | 640 pF @ 10 V |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 8.1 nC @ 4.5 V | FET प्रकार | P-Channel |
फीट फीचर | - | ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस ऑन, मिन आरडी ऑन) | 1.5V, 4.5V |
स्रोत भोल्टेजमा ड्रेन (Vdss) | 20 V | वर्तमान - निरंतर ड्रेन (आईड) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 5.2A (Ta) |
आधार उत्पादन संख्या | SSM3J321 | ||
डाउनलोड गर्नुहोस् | SSM3J321T(TE85L,F) PDF - EN.pdf |
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SSM3J321T(TE85L,F) को लागि सम्बन्धित भागहरु | |||||
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