| SI5908DC-T1-GE3 | |
|---|---|
| भाग संख्या | SI5908DC-T1-GE3 |
| निर्माता | Vishay / Siliconix |
| विवरण | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
| मात्रा उपलब्ध छ | 3474 pcs new original in stock. अनुरोध स्टक र उद्धरण |
| ECAAD मोडेल | |
| डेटासेटहरू | |
| SI5908DC-T1-GE3 Price |
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| SI5908DC-T1-GE3 को तकनीकी सूचना | |||
|---|---|---|---|
| निर्माता भाग संख्या | SI5908DC-T1-GE3 | कोटि | भ्रामक अर्धचालक उत्पादनहरू |
| निर्माता | Vishay / Siliconix | विवरण | MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
| प्याकेज / केस | Tape & Reel (TR) | मात्रा उपलब्ध छ | 3474 pcs |
| Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी | 1V @ 250µA | उपकरण प्याकेज | 1206-8 ChipFET™ |
| श्रृंखला | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| पावर - अधिकतम | 1.1W | प्याकेजिङ | Tape & Reel (TR) |
| प्याकेज / केस | 8-SMD, Flat Lead | परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| माउन्टिंग प्रकार | Surface Mount | इनपुट समाईन (सीिस) (अधिकतम) @ Vds | - |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 7.5nC @ 4.5V | FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) |
| फीट फीचर | Logic Level Gate | स्रोत भोल्टेजमा ड्रेन (Vdss) | 20V |
| वर्तमान - निरंतर ड्रेन (आईड) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 4.4A | ||
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